产品中心 MOSFET高压功率MOSFET
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Device Device
Marking
DATA
SHEET
VDSS
(V)
VGS
(V)
ID
(A)@TA
ID
(A)@TC
VGSth Min
(V)
VGSth Max
(V)
td(on)
(ns)
td(off)
(ns)
RDS(ON)Max@VGS/IDS
(mn)
VGS/IDS
(V)(A)
Package Polarity
4.5/0.5
4.5/0.2
4.5/0.1
4.5/0.6
10/0.5
4.5/0.35
5/0.2
4.5/0.01
4/0.01
10/0.1
N-Chan nel(with ESD)
P-Chan nel(with ESD)
Dual-N- Channel(with ES D)
CSM240A 60 8 0.25 8 0.25 8 0.25 8 0.25 2.5/0.001 DFN1010-4 Dual-N-Channel(with ESD)
物料规格 物料丝印 规格书 漏极-源极电压 栅极相对于源极的电压 最大漏源电流@环境温度 最大漏源电流@临界温度 最小阈值电压 最大阈值电压 开通延迟 关断延迟 漏极-源极开启电阻 栅极相对于源极的电压/阻性漏源电流 封装 极性
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SUPPLIER OF HIGH QUALITY SEMICONDUCTOR COMPONENTS
深圳市泓泰源电子有限公司
SHENZHEN HONGTAIYUAN ELECTRONICS CO.,LTD
办事处地址:
深圳市龙华区大浪街道恒大时尚慧谷7E栋12楼1212
工厂地址:
江苏省盐城市滨海县经济开发区工业园南区上海路南侧,丰收河西侧电子智慧园二期12栋厂房1楼2楼
邮箱:
linzesheng@hty-tw.com
电话:
138 2653 6682(林先生)

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